[問題求助] PMOS，buck,source,drain接地，gate接正电位，电容？

Behzad

各位大大，我在参考以前的项目时，发现有用PMOS当作电容用，30um x30um，M=48。但是buck，source，drain接地，gate接高电位，挺让我费解的，要是NMOS倒是可以理解。请教过一些人，说这种会引起latch up的问题，而且形成不了电容。有达人帮我解答这个问题么，先谢谢啦。
5 W, c0 T3 P* D# E9 p. S
+ Q! W9 T/ `4 k# U. VPS：我用HSPICE run simulation，发现无论是NMOS和PMOS效果几乎一致。( p9 f1 X5 Z2 b+ {, a0 h' s

4 c- [5 h* y6 Y[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-16 06:14 PM 編輯 ]

shaq

我想那是 Accumulation MOS(AMOS) 當 cap 用吧。
3 F6 Q3 T6 f8 e6 v* UAMOS  就是 NMOS 作在 N-Well 中，電容值有較佳的線性度。
2 @( J, O$ ~6 a# y4 Z5 _( f所以我想你大概是看到 MOS 外面圍的是 N-Well 就認為他是 PMOS 吧。  3 l1 |8 y, k' E: x1 C

; p8 M7 g* I4 W4 d& _+ ^/ k! Y4 n$ E事實上他是 AMOS, NMOS in N-Well.

Behzad

谢谢您的回复，不过我有看过layout，是Nwell上面又有P+,不太像是NMOS，依然谢谢您！

alab307

如果你有學過MOS CV-Curve就知道
: h( ]# {, E. R- E$ G  R此PMOS工作在accumulation區域- U7 Z; r( F2 B/ Z/ C" W+ d1 |
一樣有電容
# x9 q9 E7 n, ~
9 P+ S2 \* A; u6 L5 H/ G1 e; g) l至於NW接地, 是有可能會Latch-up, % h3 J$ s9 H. n. l* ^+ @* ?
就小心一些, 也沒那麼容易啦
6 E: c, d! S. E, h7 I  k# t( s
: Y: M( x# i! \/ U% A8 T) R[ 本帖最後由 alab307 於 2009-4-17 06:59 PM 編輯 ]

qweri

c=k/Tox& b6 i7 n8 v) \! p/ l. ?  h

! d. o2 P' s0 Q* S4 e: r4 O用NMOS 或PMOS效果好像是一樣吧?+ U: R4 C4 E( g' }- v) L
不知道為什麼特別選P來做?

Behzad

原帖由 alab307 於 2009-4-17 06:58 PM 發表 . P0 z9 w- A% `* C: T) v, f* g% _3 _
如果你有學過MOS CV-Curve就知道7 W6 h8 v, Z# H' M& P+ K
此PMOS工作在accumulation區域0 u  Y, u6 W. E2 u  b# O
一樣有電容8 ?! P9 m/ |  f0 T! M+ k" M
7 q5 i9 J- D" ?- @! U8 `' q
至於NW接地, 是有可能會Latch-up, 3 L( |) d$ V0 b" V- f6 |$ v
就小心一些, 也沒那麼容易啦

; I" k( S/ ]0 g/ S2 j3 T( T- r) V

, a; D, L( G6 }; [8 O" x9 N我对这个不太明白，就我看到的文献来说，A-MOS是NMOS in N-well，对于PMOS，bulk,source，drain已经是最低电位，gate下面会invert?如果不能invert，那么这个能当作电容用的么？我对这块不太清楚，请继续指教，谢谢。

Behzad

我想PMOS实现起来有点困难吧，因为gate下面好像不会形成channel啊？如果能形成channel自然一样，但是如果不能形成channel，我就有点担心。

chinwei

不知道PMOS這樣接作電容的話，會不會有什麼問題??$ s1 g3 k' s8 \
請各位賜教!!
6 E9 k/ K6 T. P4 a/ k8 N) T; E0 ~2 z* e8 V, N7 H
PS. gate 接地，其餘的腳位接在一起，在接至某个正電壓。

qweri

同樣一個公式c=k/Tox
+ f$ B* w: E! ^accumulation和inversion時的c值是一樣的  只有在depletion時較低. \# D0 e. J& d' k. q
可以看書中有圖) w3 h! z" V, E% l, Q
, L4 x! T$ N, \. @  n0 x2 d
所以如果給的電壓夠正，雖然沒辦法invert可是可以用他在acc時的電容
- j9 J' e% j9 x& h: M* K- j; `' u2 [! n0 `% x8 J
amos我不知道你說的是不是depletion mode的6 I( F' Q! U# ~! m
就是原本不加電壓時通道已經形成，加上正電壓把他deplet掉就是把他關掉; q4 V; u( a4 I+ r
我不知道這跟他的電容值有關嗎?
/ v1 {. j- M# X4 w4 r4 w基本上我猜只會把他的整個cv curve shift，猜是只有Vt的變動
) v3 {+ V2 t+ ^6 I: I, ]想不到什麼線性度問題，請問有書上有寫嗎，有寫原因嗎 謝謝

alab307

我再說一次! j+ W: `! i: {9 u
當PMOS  gate給高電壓, D/S/B接低電壓時候' i' u4 ]6 {% G9 N+ Z7 V
NW是n-type, 可以提供負電荷, 在表面累積負電, 稱做accumulation
9 ^- o- t% C8 L0 m! I) G(如在NW累積正電, 稱做invertion)
1 G/ P" [* [; @- I/ T& F% Z+ d. J+ n3 z% j- Y- q" \/ ?3 H
只要有兩個極板, 可以累積charge, 就可以形成電容

Behzad

感谢您的回复。至于AMOS，我是根据一篇paper来看的，他所说的AMOS是指NMOS in N-Well，不是指pmos了。我贴上这个paper吧，供参考。
/ {5 ~1 o# C* ^7 Y
; e: V+ m  S% `9 T  q) f9 [; Z$ y3 ?[ 本帖最後由 Behzad 於 2009-4-21 11:50 AM 編輯 ]

alab307

我第一次聽稱這個MOS為A-MOS,
- M* M+ ?/ X8 t& p1 U3 r% H. W不過沒差, 原理差不多
4 h  l5 t% e! V' c' W' y: g5 q唯一有差的是A-MOS無法inversion, " r, l( h3 y: p- U+ @/ V# x" ^/ s
所以偏壓在accumulation區域電容才比較大( Q- F/ U1 S0 [! F

9 \) y8 X% m, Z  ~8 J2 u4 n% _5 cPMOS則是偏壓在inversion or accumulation都可以有大電容

qweri

AMOS 一樣可分N跟P' f$ i4 Y- ?0 ~6 d: U' o/ S

: ^2 d: m+ S. C- R) p不同的WELL只是調他的Vt而已  P" r3 a, }( g0 B0 m
照你的說法- V' a" O9 P+ |) p/ c) a, W: v  u
NMOS ON NWELL
# C+ b1 \  s/ ?- V, B1 q1 qPMOS ON PWELL就可以了
4 {5 }) k. p, A2 D
2 \5 i# x: @; b. y  Y; u也不一定要改整個WELL調CHANNEL表面的DOPPING CONCENTRATION就行了

hvpower

NMOS作到N WELL 上面 我覺得6 r  n! p- r. m4 h
不就是一個多晶- 襯底電容吧？

renzhq

其实mos做电容的时候，电容稳定的区间比较大。这个可以从C_V曲线看出来的，NMOS电容随着栅压的增大会有一个区间逐渐变化，最终稳定。。。: N8 G) W1 \6 O' ]& b( i' x
Pmos电容的这个区间要比NMOS的小，但是如果PMOS的buck、s、d接上高电平的话会和NMOS接地的情况差不多。。。9 o, a/ o; m. i2 V8 y& {5 A
也可以把NMOS的栅接负压（好像不太常用。。。）这样会改善mos电容的线性度

liload

如果用NMOS来做没有双井 buck只能接地  pmos栅极接高电位 也可以让pmos处于强反型区

andrew_wee

15樓說得不錯，我現在就是在模擬nmos管和pmos管的C—V曲綫，尋找一個結合點，來提高Mos管的線性度。但是這個結合點真的不容易找啊，希望哪位高手能指點一二。

賴永諭

PMOS 作電容..不是Source Drain and buck 接高電位 ,gate接你要穩壓的點嗎 ???
7 e& f. l& `3 k, ^- q! Z& t其它接法沒有做過ㄝ??????- q7 x4 b; }; W
thanks!!!

savage1394

pmos的gate接正电位，bulk、source、drain接地，这样pmos工作在积累区，电容几乎就是栅电容的全部，有什么觉得奇怪，从来就是这么用的啊。如果换nmos，反而效果会变差，因为当VGS=VT的时候，mos总电容会突然变得极小，电容值不稳定。/ d( l% X5 V! Q. p; }6 [
还有，为什么说pmos电容这么接回容易latch-up？我没看出来？谁能画个等效电路。相反，我觉得所谓了AMOS，就是nmos做在nwell里，我到觉得他出latch-up的可能性极大，对照书上的latch-up示意图，一画就能画出来。

hana84

can somebody explain how to latch up ？