[問題求助] pn junction 的電路的設計與layout

gyamwoo

我在課本中和同學有提到在訊號線上用兩個逆偏的diode可以當作esd的簡單的裝置。而且在layout中" R  T/ w$ y- }- P! ?' y
也可以解 anttena rule的錯誤。其電路圖如下：
4 M" `* [% h9 m' U2 f7 `0 e3 H! @
4 x4 C: ^/ T- Y而我畫的layout圖如下：) C  C7 a# i3 ?- \! v
2 `' x' P4 w% k& f5 O( y9 w9 U) ?: w1 X
' A, y4 A; O8 {& d" [
我現在有個疑問。因為這個不是lvs會被認成二極體的，所以rcx抽出的postsim應該不會有這些diode。2 F; x5 `1 u1 e% W4 w7 t
我是想要知道在台積電的0.18um cmos製程中。這樣的pn接面其特性是如何？8 A2 v6 p* f0 X7 u& k
1.pn接面導通的電位多大？跟pn接面的面積有沒有關係
% j# ~0 G0 x0 O, G2.導通電流多大？跟pn接面的面積有沒有關係9 F; ~& x. H; x# l! e  z
3.逆偏崩潰電壓多大？跟pn接面的面積有沒有關係
  {0 j, m; X  a4 q; b
, o: S& w$ S5 n拜託有人能給我一點指引，謝謝。

lu123sd

此貼確實有點意思~" X5 s& Q) G5 m1 |7 {8 P

, j* ^: U! p7 i+ }
- S+ i7 }( g) G' W
1 {& c8 z; ^/ V9 p; F! a- E/ G" c  N" |0 n) a$ ?6 t; O" B% P1 s6 [
+ [- S7 I% K; y* A+ ?) Z
  O) E' f. t( o9 a
: C+ y* T% t# p6 y- F  ]
air max tn nike shox tn requin sacs a main jordan shoes